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Article #203

Peter Rachow - Transistor

#203
From: checker
Date: Sun, 13 Feb 2011 19:59
19 lines
1835 bytes
Yep. Jede Diode besitzt eine innere Sperrschicht, das ist der Bereich, wo n-
und p-leitendes Material sich ber�hren. Diese Sperrschicht ist elektrisch
neutral, weil die unterschiedlichen Ladungstr�ger aus der n- und p-Schicht
dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den
Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des
Stromkreises auf Kathode der Diode), k�nnen Elektronen diese elektrisch
nicht leitende Schicht �berwinden, zumindest wenn sie genug Energie
mitbringen.

Ein Ma� f�r die Energie eines Elektrons (e-) ist die elektrische Spannung.
Die Energie, die ein Elektron ben�tigt, um die Sperrschicht zu �berwinden,
kann man dann am Spannunbgsabfall zwischen den Polen der Diode ablesen. Bei
Si sind das ca. 0,6V. Weiterhin bedeutet dies, dass ein e- eine bestimmte
Spannung braucht, um eine Diode druchflie�en zu k�nnen. Ist die Energie
geringer (U<~06V f�r Si), kommt (fast) kein Stromfluss zu Stande.

hth

Peter
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From: checker <drefd@del.com>
Newsgroups: cn.bbs.sci.electronics
Subject: Peter Rachow - Transistor
Date: Sun, 13 Feb 2011 20:59:33 +0100
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Message-ID: <ij9d90$na9$1@speranza.aioe.org>
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