🚀 go-pugleaf

>Nico Coesel wrote:
>> 
>> >Nico Coesel wrote:
>> 
>> >> >electornica warm wordt. Dit heeft wel degelijk met elkaar te maken.
>> >> >Slechte kwaliteit structuur, veel warmte ontwikkeling. Echter met de
>> >> >hoge frequenties wil electronica ook warm door worden. Hangt er wel van
>> >> >af wat voor structuur. Je moet er wel van uit gaan dat .xx micron tot
>> >> >daar alle stroom door heen loopt. Vb: Probeer maar eens 40 ampere op een
>> >> >draad van 1mm doorsnede te zetten. Zal je zien dat die warm wordt bij
>> >> >halfgeleiders is dit net zo. Dit warm worden wordt veroorzaakt door de
>> >> >onzuiverheden (weerstand). En niet te vergeten inductie als twee
>> >> >draadjes naast elkaar lopen.
>> >> En niet te vergeten de gate-capaciteit van de MOS transistoren en de
>> >> bedradings capaciteit. Hoe kleiner de struktuur, hoe kleiner de gate
>> >> capaciteit dus minder verlies. Als je de gate en bedradings capaciteit
>> >> verwaarloost, dan draait een CMOS chip vrijwel zonder vermogen te verbruiken.
>> >> Het op en ontladen van de capaciteiten in de chip zorgt nou juist voor het
>> >> warm worden. De zelf inductie is alleen maar een extra vertraging.
>> 
>> >Ok je zegt dat de halfgeleider Silicium zo 100% puur is. WRONG: 100%
>> >Silicium is een ISOLATOR. Dus zal je chip helaas niet werken. Silicium
>> >is wel degelijk onzuiver voor chip. En wel onziuver in de vorm van
>> >positief en negatief Silicium. De ene mist een electron, en de ander
>> >heeft een electron te veel in de structuur.
>> Heeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeeee????????????????????????????????
>> Je moet je halfgeleider fysica een oppoetsen. Silicium is geen water!!!
>> Silicium is een metaal wat geleid (niet erg goed, maar het geleid
>> wel). Lees alsjeblieft eens een boek over het onderwerp. Ik heb niet veel trek
>> om een diktaat halfgeleider fysica over te typen.
> Even als toevoeging op mijn vorige mail.

>Soortelijke weerstand Koper     1,7 x 10-8 Ohmmeter
>Soortelijke weerstand Silicium  1000000 x 10-8 Ohmmeter
Volgens mij heb je hier SiO2 te pakken. M'n boek zegt dat de geleiding van 
Silicium 2,6E5 Ohm per cm is.