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Sun, 13 Feb 2011 19:59
Peter Rachow - Transistor
Author: checker
Date: Sun, 13 Feb 2011 19:59
Date: Sun, 13 Feb 2011 19:59
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Yep. Jede Diode besitzt eine innere Sperrschicht, das ist der Bereich, wo n- und p-leitendes Material sich ber�hren. Diese Sperrschicht ist elektrisch neutral, weil die unterschiedlichen Ladungstr�ger aus der n- und p-Schicht dort rekombinieren und ungeladene Atome bilden. Wird die Diode so in den Stromkreis eingebaut, dass die Sperrschicht minimiert wird (- Pol des Stromkreises auf Kathode der Diode), k�nnen Elektronen diese elektrisch nicht leitende Schicht �berwinden, zumindest wenn sie genug Energie mitbringen. Ein Ma� f�r die Energie eines Elektrons (e-) ist die elektrische Spannung. Die Energie, die ein Elektron ben�tigt, um die Sperrschicht zu �berwinden, kann man dann am Spannunbgsabfall zwischen den Polen der Diode ablesen. Bei Si sind das ca. 0,6V. Weiterhin bedeutet dies, dass ein e- eine bestimmte Spannung braucht, um eine Diode druchflie�en zu k�nnen. Ist die Energie geringer (U<~06V f�r Si), kommt (fast) kein Stromfluss zu Stande. hth Peter
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